台积电3nm、2nm芯片路线图，基本确定了

2018年，台积电、三星推出7nm芯片，开始领先intel。而到了2020年，台积电、三星进入了5nm，更是把intel远远的甩在身后，一举奠定了芯片代工（制造）的两强霸主地位。

而按照台积电、三星的规划，2022年就会推出3nm芯片，而到2024年左右，将会推出2nm芯片，从此全球再无对手。

而随着2022年越来越近，有关于3nm的芯片消息也是越来越多，台积电、三星也是展开了3nm的竞争。毕竟谁先推出，谁的技术更好，就有可能占领先机。

想当年在14nm FinFET技术时，三星领先了台积电推出14nm，而台积电是16nm，后来三星抢走了苹果的部分订单，就给台积电很大的压力。

而在3nm时代，三星又故伎重演，想采用GAA技术，领先于台积电的FinFET技术，甚至还想早于推出3nm技术。

而在三星的步步紧逼之下，台积电近日终于也说出了有关于3nm芯片的情况，也谈到了2nm，从台积电CEO魏哲家讲话内容来看，3nm、2nm路线基本上是定了。

按照台积电的说法，3nm会有两个版，一个是3nm 3 GAE低功耗版，会2022年初量产，但是交货给客户，可能会到2023年初去了，比预期的要晚半年左右，所以明年的苹果A16芯片，未定一定是3nm工艺。

这个低功耗版的3nm芯片，较5nm，晶体管密度增加70％，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％。

3nm 3GAP高性能版2023年初量产，交货会到2023年下半年甚至2024年初去了。高性能版可以视为增强版，也就是第二代3nm工艺，会有更好的性能、功耗、良品率，同时设计和IP上完全兼容N3，2024年量产。

而2nm芯片，预计会在2025年量产，2nm芯片预计将采用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，不会再采用当前的FinFET技术了。

当然，在芯片没有交付之前，一切都是计划，而有时候计划赶不上变化，所以最终如何，还是让时间来证明了。

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